C60-20S 離子源系統雖然所有離子束都會濺射或蝕刻，但我們的一些系統的表面是專為高效和快速濺射而設計的。濺射光束有三個特點：高電流、大光斑尺寸和寬視場。這些特性的結合意味著它們可以在大面積上盡快輸送大劑量的離子，以優化蝕刻速率。

簡介：

C60-20S 離子源系統是一種高性能離子束，設計用于濺射表面，具有較小的損傷和減少的沿周濺射效應。 

C60-20S 離子源系統在高達20 kV的電壓下工作，可有效地濺射材料，且損傷較小，無需重新沉積碳。

C60是XPS、AES和SIMS的理想升級組件，可在多種材料上均勻濺射。

主要參數：

特點:  

◇  電流密度高，蝕刻速度更快；

◇  與單原子束相比，可減少化學損傷；

◇  不同材料和晶體取向的濺射率一致；

◇  閘閥，便于快速維修；

◇  源壽命長；

應用領域： 

◇  聚合物的高速、低化學損傷蝕刻；

◇  C60離子濺射的速度比單原子束(包括氬和氙)快50倍，同時 對底層材料造成的損害要小得多；

◇  下圖比較了15kev的C60濺射產率與15kev金、氙鎵和氬的TRIM數據。在相反的例子中，用C60和單原子氬離子束濺 射清洗PTFE薄膜；

◇  雖然兩種離子束都去除了表面污染，但只有C60離子束的表 面化學性質沒有發生變化；